特許
J-GLOBAL ID：200903034452541170
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-097759
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298146
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】小面積化した場合においてもフリー強磁性層の残留磁化が十分に大きく且つ十分に弱い磁場で磁化反転が可能な磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子では、フリー強磁性層4の形状が、互いに平行な第1対辺と互いに平行な第2対辺とからなる四辺形状の第1部分4aと、第1部分4aの一対の対角部から第2対辺に平行な方向にそれぞれ延在し且つ第1対辺に平行な方向の最大幅が第1対辺の長さよりも狭い一対の第2部分4bとを含み、且つ、第1部分4aの中心を通り且つ第2対辺に平行な直線に関して非対称であり、フリー強磁性層4の磁化容易軸9は、第2対辺にほぼ平行な第1方向41、第2部分4bの一方の輪郭と他方の輪郭とを結ぶ線分のうち最も長いものにほぼ平行な第2方向42、または第1方向41と第2方向42との間であってこれらの方向が為す鋭角側の方向に平行である。
請求項（抜粋）：
磁場印加の際に磁化の向きが維持される第1ピン強磁性層と、前記第1ピン強磁性層に対向し且つ前記磁場の印加の際に磁化の向きが変化し得るフリー強磁性層と、前記第1ピン強磁性層と前記フリー強磁性層との間に介在した第1非磁性層とを具備し、前記フリー強磁性層のその主面に垂直な方向から観察した形状は、互いに平行な第1対辺と互いに平行な第2対辺とからなる四辺形状の第1部分と、前記四辺形状の第1部分の一対の対角部から前記第2対辺に平行な方向にそれぞれ延在し且つ前記第1対辺に平行な方向の最大幅が前記第1対辺の長さよりも狭い一対の第2部分とを含み、前記フリー強磁性層の前記主面に垂直な方向から観察した前記形状は、前記第1部分の中心を通り且つ前記第2対辺に平行な直線に関して非対称であり、前記フリー強磁性層の磁化容易軸は、前記第2対辺に実質的に平行な第1方向、前記一対の第2部分の一方の輪郭と他方の輪郭とを結ぶ線分のうち最も長いものに実質的に平行な第2方向、または前記第1方向と前記第2方向との間であってこれらの方向が為す鋭角側の方向に平行であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
H01L 43/08
, G11C 11/15 112
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 P
, G11C 11/15 112
