特許
J-GLOBAL ID：200903099425071299

磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ

発明者：
岸 達也

岸 達也 について

, 
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について

, 
猪俣 浩一郎

猪俣 浩一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187070
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106462
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 大きな磁気抵抗比を得ることができ、かつ大きな抵抗をもつために相対的に大きな出力電圧が得られる強磁性トンネル接合のバイアス電圧および温度に対する磁気抵抗比の依存性を低減し、実用性を高める。【解決手段】 強磁性層2/トンネル障壁層3/強磁性層4構造の強磁性トンネル接合1、あるいは強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層/トンネル障壁層/強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。磁気素子はバイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有する。また、温度の上昇に伴う磁気抵抗比の減少が小さい。トンネル障壁層は、トンネルバリア高さをΦ[単位:eV]、トンネルバリア幅をS[単位:オングストローム]としたとき、S/(Φ)1/2 の値が10≦S/(Φ)1/2 を満足する。
請求項（抜粋）：
少なくとも 2層の強磁性層と、前記 2層の強磁性層間に介在された少なくとも 1層のトンネル障壁層との積層膜からなる強磁性トンネル接合を有し、前記 2層の強磁性層間にトンネル電流を流す磁気素子において、バイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有することを特徴とする磁気素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26
FI (6件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/26 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM