磁気RAMセル内の内部非対称

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273337
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】交差領域を形成する第1および第2の交差導線を有する磁気メモリを提供すること。【解決手段】磁気メモリ・セルは、それに沿って2通りの磁化方向を課すことができる磁気軸を備えた可変性磁気領域を含み、それにより、それに印加された電気および結果的な磁気刺激に応じてセルが変化可能な2通りのそれぞれの状態を提供する。第1の方向から第2の方向へ予測可能な磁化パターンの発展を可能にするために、ある状態をそこに書き込んでいる間にセルに印加される磁気刺激の非対称を開示する。また、予測可能なパターンの発展を可能にする、セルのレイアウトまたは磁化の物理的非対称も開示する。このような原理は、そこにセルを書き込むために電気および結果的な磁気刺激を供給するビット線とワード線の交点で磁気トンネル接合(MTJ)セルを使用する、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)アレイに適用することができる。

請求項（抜粋）：

交差領域を形成する第1および第2の交差導線と、前記交差領域に配置され、それに沿って2通りの磁気方向を課すことができる磁気軸を備えた可変性磁気領域を含む磁気メモリ・セルであって、それにより、前記第1および第2の交差導線によりそれに印加された磁気刺激に応じて前記セルが変化可能な2通りのそれぞれの状態を提供し、前記可変性磁気領域がその磁気軸の周りに実質的に磁気的に非対称に成形される磁気メモリ・セルとを含む、磁気メモリ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗性メモリ構造大フラクション利用
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-508400 出願人：ノンボラタイルエレクトロニクス,インコーポレイテッド
磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058777 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特許第5748524号

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