特許
J-GLOBAL ID:200903034481010303
希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
守谷 一雄
, 渡部 弘道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-306696
公開番号(公開出願番号):特開2007-115562
出願日: 2005年10月21日
公開日(公表日): 2007年05月10日
要約:
【課題】機械的強度及び配向性に優れた複合基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。【解決手段】、耐熱性及び耐酸化性を有するハステロイ1とNi-W合金2とを冷間加工により貼り合わせ、900〜1300°Cの温度で配向化熱処理を施して複合基板3を製造し、この複合基板3上に、Ce-Zr-O膜からなる中間層4及びCe-Gd-O膜からなる中間層5を順次形成した後、その上に酸化物超電導層6を形成して希土類系テープ状酸化物超電導体10を製造する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に、2軸配向した無機材料の中間層を1層または複数層形成し、この上に酸化物超電導層を設けた酸化物超電導体において、前記基板として、耐熱性及び耐酸化性を有する金属基板上に2軸配向したNiまたはNi基合金あるいはCuまたはCu基合金を設けた複合基板を用いたことを特徴とする希土類系テープ状酸化物超電導体。
IPC (6件):
H01B 12/06
, H01B 13/00
, C22C 19/03
, C22C 9/00
, C22F 1/10
, C22F 1/08
FI (7件):
H01B12/06
, H01B13/00 565D
, C22C19/03 G
, C22C19/03 M
, C22C9/00
, C22F1/10 A
, C22F1/08 B
Fターム (16件):
4G047JA03
, 4G047KG01
, 4G047KG04
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA28
, 5G321DB37
, 5G321DB39
, 5G321DB40
, 5G321DB41
引用特許: