特許
J-GLOBAL ID：200903034483758542

電界効果半導体装置及びその製造方法

発明者：
高橋 良治

高橋 良治 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-145155
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295641
出願日： 2008年06月02日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】逆方向電圧が印加された時にオフ状態にすることができるIGFETの高耐圧化に応えることができる電界効果半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】IGFETの半導体基体は、N+型の第1のドレイン領域34とN-型の第2のドレイン領域35とP型の第1のボデイ領域36とP-型の第2のボデイ領域37とN型の第1のソース領域38とN+型の第2のソース領域39とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ31を有する。トレンチ31内にゲート絶縁膜25とゲート電極24とが配置されている。第2のドレイン領域35と第1のボデイ領域36とのPN接合43は半導体基体の一方の主面に露出している。トレンチ31の外周にも第1のボデイ領域36と第2のボデイ領域37と第1のソース領域38とが設けられ、且つN型の保護半導体領域40が設けられている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1の主面と該第1の主面に対して平行に延びている第2の主面とを有し且つ前記第1の主面から前記第2の主面に向かって所定の深さを有して延びている少なくとも1対のトレンチを有している半導体基体と、 前記半導体基体の前記第2の主面に露出する面を有し且つ第1導電型不純物を比較的高い濃度で含んでいる第1のドレイン領域と、 前記第1のドレイン領域及び前記対のトレンチの先端部分に隣接配置され且つ前記半導体基体の前記第1の主面の前記対のトレンチよりも外周に露出している部分を有し且つ第1導電型不純物を前記第1のドレイン領域よりも低い濃度で含んでいる第2のドレイン領域と、 前記第2のドレイン領域の中に島状に形成された第2導電型領域であって、前記対のトレンチの相互間に配置されたセル部分と、前記半導体基体の前記複数のトレンチよりも外周に配置され且つ前記第2のドレイン領域との間に平坦なPN接合を形成している第1の外周部分と前記トレンチから前記第1の外周部分よりも離れて配置され且つ前記第1の外周部分よりも低い平均不純物濃度を有し且つ前記第2のドレイン領域との間に湾曲したPN接合を形成している第2の外周部分とを有している第1のボデイ領域と、 第2導電型不純物を前記第1のボデイ領域よりも低い濃度で含み且つ前記第1のボデイ領域に隣接配置された領域であって、前記半導体基体の前記第1の主面の前記対のトレンチの相互間の中央に露出しているショットキーバリアダイオード形成用セル部分と前記半導体基体の前記第1の主面の前記対のトレンチよりも外周に露出しているショットキーバリアダイオード形成用外周部分とを有している第2のボデイ領域と、 第1導電型不純物を含む領域であって、前記対のトレンチの相互間において前記第2のボデイ領域の前記ショットキーバリアダイオード形成用セル部分及び前記トレンチに隣接するように配置され且つ前記半導体基体の前記一方の主面に露出しているセル部分と前記半導体基体の前記第1の主面の前記対のトレンチよりも外周において前記トレンチ及び前記第2のボデイ領域の前記外周部分に隣接するように配置され且つ前記半導体基体の前記一方の主面に露出している外周部分とを有しているソース領域と、 第1導電型不純物を含む領域であって、前記第2のボデイ領域の前記ショットキーバリアダイオード形成用外周部分の外周側に配置され且つ前記ショットキーバリアダイオード形成用外周部分に隣接し且つ前記半導体基体の前記一方の主面に露出しているショットキーバリアダイオード保護半導体領域と、 前記半導体基体の前記第2の主面において前記第1のドレイン領域にオーミック接触しているドレイン電極と、 前記半導体基体の前記第1の主面において前記ソース領域及び前記ショットキーバリアダイオード保護半導体領域にオーミック接触し且つ前記第2のボデイ領域の前記ショットキーバリアダイオード形成用セル部分と前記ショットキーバリアダイオード形成用外周部分とにショットキー接触しているソース電極と、 前記トレンチの壁面に形成されたゲート絶縁膜と、 前記トレンチ内に配置され且つ前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体基体の少なくとも前記第1のボデイ領域に対向しているゲート電極と を備えていることを特徴とする電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/04
FI (6件)：
H01L29/78 652M ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 657A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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