特許
J-GLOBAL ID：200903034521916831
不揮発性半導体記憶装置とその消去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-176726
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045284
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】この発明の目的は、単純なシーケンスにより、短時間のうちに効率よくウィーク・プログラムを行うことができ、閾値電圧の分布幅を最小化できる不揮発性半導体記憶装置とその消去方法を提供する。【構成】メモリセルアレイ11にはEEPROMからなるメモリセルMCがマトリクス状に配置されている。メモリセルアレイ11は複数のブロックに分割され、このブロックに属する複数のメモリセルが一括して消去される。この後、選択したワード線以外のワード線を負の電位とし、過消去状態のメモリセルを検出する。過消去状態のメモリセルを検出した場合、そのセルに通常の書き込み電圧より低い電圧でウィーク・プログラムを行う。したがって、過消去セルの検出が容易であるとともに、ウィーク・プログラムに要する時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込み、消去可能な複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに配置された複数のメモリセルに記憶されたデータを一括して消去する消去手段と、前記消去された複数のメモリセルを1ビットずつ選択する第1の選択手段と、前記第1の選択手段によって選択されたメモリセルから消去不足のメモリセルを検出する第1の検出手段と、前記第1の検出手段によって消去不足のメモリセルが検出されなかった場合、選択ワード線を正の電圧に設定するとともに、非選択ワード線を負の電圧に設定し、前記複数のメモリセルを1ビットずつ選択する第2の選択手段と、前記第2の選択手段によって選択されたメモリセルから過消去状態のメモリセルを検出する第2の検出手段と、前記第2の検出手段によって過消去状態のメモリセルを検出した場合、前記第2の選択手段によって選択されている過消去状態のメモリセルに通常の書き込み電圧より低い電圧を供給し、閾値電圧を僅かに上昇させるウィーク・プログラム手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 530 A
, H01L 29/78 371
