半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047315
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249663
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】チップ面積を大きくせずにESD耐量を大きくでき、また、ESD耐量を下げずにチップ面積を小さくできる半導体装置を提供する。【解決手段】 n型シリコン基板11の一主面(表面)の表面層にp型ガードリング領域12が形成されている。ガードリング領域12に取囲まれたn型シリコン基板11にU字型断面形状で平面パターンがリング状の溝17が形成されており、ガードリング領域12に取囲まれたその溝17を含むシリコン基板11の表面層とガードリング領域12内周側の表面層にp型ベース領域13が形成されている。ベース領域13とシリコン基板11によるPN接合J2は、シリコン基板11の主面に平行なPN接合面J2aと、溝17の断面形状と略相似なPN接合面J2bとを有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板にPN接合を有する半導体装置において、半導体基板の主面に形成したU字型断面形状の溝を有し、前記PN接合の面が、半導体基板の主面に平行な平面と、前記平面に連続形成し、前記溝の断面形状と略相似な曲面とを有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333418 出願人：ローム株式会社
特開昭62-112379
特開昭61-094379

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