特許
J-GLOBAL ID:200903034566676017
垂直型発光素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
笹島 富二雄
, 西山 春之
, 小川 護晃
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-287554
公開番号(公開出願番号):特開2008-118139
出願日: 2007年11月05日
公開日(公表日): 2008年05月22日
要約:
【課題】垂直型発光素子において発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。【解決手段】第1伝導性半導体層30と、該第1伝導性半導体層上に位置する発光層20と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層40を有する第2伝導性半導体層10と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造50が形成されている構造としている。【選択図】図4
請求項(抜粋):
第1伝導性半導体層と、
該第1伝導性半導体層上に位置する発光層と、
該発光層上に位置し、エッチング障壁層を有する第2伝導性半導体層と、
を含んで構成されることを特徴とする垂直型発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 C
, H01L21/306 B
Fターム (11件):
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F043AA16
, 5F043BB10
, 5F043DD08
, 5F043FF03
, 5F043GG10
引用特許: