特許
J-GLOBAL ID：200903034571299655
垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-111743
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053685
出願日： 2007年04月20日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上にn型窒化ガリウム系半導体層と活性層とp型窒化ガリウム系半導体層とが順次積層されている発光構造物を形成し、発光構造物をエッチングして単位LED素子の大きさに分離し、分離された発光構造物上にp型電極を形成し、分離された各発光構造物の間に非導電性物質を充填し、前記結果の構造物上に金属シード層を形成し、各発光構造物の間の領域を除いた金属シード層上に第1メッキ層を形成し、第1メッキ層及び各第1メッキ層の間の金属シード層の表面に第2メッキ層を形成し、基板を発光構造物から分離し、基板が分離されて露出した各発光構造物の間の非導電性物質を除去し、n型窒化ガリウム系半導体層上にn型電極を形成し、各発光構造物の間の金属シード層及び第2メッキ層部分を除去することにより垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子を製作する。【選択図】 図4M
請求項（抜粋）：
n型電極と、
前記n型電極の下面に形成された発光構造物と、
前記発光構造物の外郭面に形成された保護膜と、
前記保護膜が形成された発光構造物の下面に形成されたp型電極と、
前記発光構造物及び前記p型電極の全面に形成された金属シード層と、
前記金属シード層の下部に形成された導電性基板と、を含む垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA91
, 5F041CA98
