特許
J-GLOBAL ID：200903040269521713
発光半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-579374
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532298
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：
【要約】本発明はGaNベースの発光半導体素子に関し、この発光半導体素子の半導体基体は種々のGaN半導体層(1)の積層体によって形成されている。この半導体基体は第1の主面(3)及び第2の主面(4)を有し、生成される放射(5)が第1の主面(3)を通過して出力結合され、また第2の主面(4)上にはリフレクタ(6)が形成されている。さらに本発明は、本発明による半導体素子の製造方法にも関する。先ず基板(8)上には中間層(9)が被着され、この中間層(9)上には素子の半導体基体を形成する複数のGaN層(1)が被着される。最終的には、基板(8)及び中間層(9)が剥がされ、半導体基体の一方の主面にはリフレクタ(6)が形成される。
請求項（抜粋）：
発光半導体素子であって、 該半導体素子の半導体基体は種々のIII-V族窒化物半導体層(1)の積層体によって形成されており、該半導体素子は第1の主面(3)及び第2の主面(4)を有し、 生成される放射(5)の少なくとも一部は前記第1の主面(3)を通過して出力結合される、発光半導体素子において、 前記第2の主面(4)上にリフレクタが被着されていることを特徴とする、発光半導体素子。
Fターム (4件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CB15
