特許
J-GLOBAL ID：200903063674607226

半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法

発明者：
永井 秀男

永井 秀男 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238614
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252222
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 大型化を招くことなく、完成品の歩留まりを向上することが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 発光層12を含む半導体多層膜6と、半導体多層膜6の主面よりも一回り大きな面積の主面を有する高抵抗Si基板4とを有し、半導体多層膜6は高抵抗Si基板4における一方の主面の中ほどに配されおり、蛍光体膜8が、高抵抗Si基板4で受けるような形で、半導体多層膜6の側面および高抵抗Si基板4とは反対側の主面を覆うように形成されている。前記半導体多層膜6は、別途用意されたサファイア基板上で結晶成長により形成されたものが、前記高抵抗Si基板4に転写されたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
実装に供される半導体発光装置であって、 発光層を含む半導体多層膜と、 前記半導体多層膜の主面よりも一回り大きな面積の主面を有するベース基板とを有し、 前記半導体多層膜は前記ベース基板における一方の主面の中ほどに配されており、蛍光体膜が、前記ベース基板で受けるような形で、前記半導体多層膜の側面およびベース基板とは反対側の主面を覆うように形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  F21V19/00
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  F21V19/00 P
Fターム (26件)：
3K013BA01 ,  3K013CA05 ,  3K013CA16 ,  5F041AA41 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB22 ,  5F041CB23 ,  5F041CB36 ,  5F041DA12 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78 ,  5F041DB08 ,  5F041DC08 ,  5F041EE11 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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