特許
J-GLOBAL ID：200903034585291797

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
山口 浩司

山口 浩司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-283666
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051150
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器について、生産性及び信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数のチップ搭載領域を第1の面20に有する半導体基板10の、第1の面20からの凹部内に導電部30を形成すること、それぞれのチップ搭載領域に、少なくとも1つずつの半導体チップ40をスタックすること、半導体基板10の第1の面20上に封止材46を設けること、半導体基板10を第2の面21からの一部を除去して薄くして、導電部30を第1の面20から第2の面21に貫通させること、を含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
(a)複数のチップ搭載領域を第1の面に有する基板の、前記第1の面からの凹部内に導電部を形成すること、 (b)前記チップ搭載領域に半導体チップをスタックすること、 (c)前記基板の前記第1の面上に封止材を設けること、 (d)前記基板を第2の面からの一部を除去して薄くして、前記導電部を前記第1の面から前記第2の面に貫通させること、 を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件)：
H01L25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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