特許
J-GLOBAL ID：200903030144133279
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236811
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050738
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 電気的な接続を高い信頼性を以て、容易に図ることができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極14を有する半導体素子10に、前記電極14の位置で貫通する第1の貫通穴18を形成する第1工程と、前記第1の貫通穴18の内側を含む領域に、絶縁材料22を、前記絶縁材料22を貫通する第2の貫通穴24を備えるように設ける第2工程と、前記第1の貫通穴18の内側で、前記絶縁材料22を貫通する第2の貫通穴24を通るように導電部材28を設ける第3工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
電極を有する半導体素子に、前記電極の位置で貫通する第1の貫通穴を形成する第1工程と、前記第1の貫通穴の内側を含む領域に、絶縁材料を、前記絶縁材料を貫通する第2の貫通穴を備えるように設ける第2工程と、前記第1の貫通穴の内側で、少なくとも前記絶縁材料を貫通する第2の貫通穴内に導電部材を設ける第3工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12 501
H01L 23/12 501 C
, H01L 25/08 Z
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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