特許

J-GLOBAL ID：200903034596584591

微細パターンの形成方法

発明者： 大藤 武 ,  中野 嘉一郎 ,  前田 勝美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183756
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034118
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 反射率の小さな基板上においても良好なパターン形状と十分な焦点深度を達成できる微細パターン形成方法を提供する。【構成】 半導体基板上の被加工層上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光し、現像を行うことにより、パターンを形成する微細パターンの形成方法において、前記レジストと被加工層とレジストの間に反射防止層を設け、かつ、前記レジストにKrFエキシマレーザ(248nm)等の露光光に対して70%以上の透過率を有する有橋環式炭化水素基を含有する樹脂を用いて、透過率の高いレジストを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の被加工層上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光し、現像を行うことにより、パターンを形成する微細パターンの形成方法において、前記レジストと被加工層とレジストの間に反射防止層を設け、かつ、前記レジストに露光光に対する透過率が70%以上の樹脂を用いることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 遠紫外線用レジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-267628   出願人：富士通株式会社
• 放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-053726   出願人：富士通株式会社
• 特開昭61-185928
  
• 特開平2-244154