特許
J-GLOBAL ID：200903034611735445
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311497
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146688
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】弱い磁場でフリー層の磁化を反転させることが可能な磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気メモリ及び磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子1は、互いに対向し且つ磁化の向きが互いに等しい一対の強磁性層11aとそれらの間に介在した非磁性膜11bとを備えるとともに磁場印加の際に磁化の向きが変化し得るフリー層11と、フリー層11に対向した強磁性層を備えるとともに上記磁場印加の際に磁化の向きが維持されるピン層12と、フリー層11とピン層12との間に介在した非磁性層13とを具備し、非磁性膜11bの材料は、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ハフニウム、タングステン、レニウム、及びそれらの合金からなる群より選択されることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
互いに対向し且つ磁化の向きが互いに等しい一対の強磁性層とそれらの間に介在した非磁性膜とを備えるとともに磁場印加の際に前記磁化の向きが変化し得るフリー層と、前記フリー層に対向した強磁性層を備えるとともに前記磁場印加の際に磁化の向きが維持される第1ピン層と、前記フリー層と前記第1ピン層との間に介在した第1非磁性層とを具備し、
前記非磁性膜の材料は、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ハフニウム、タングステン、レニウム、及びそれらの合金からなる群より選択されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, G11C11/15 110
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA03
, 5D034CA00
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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