特許
J-GLOBAL ID：200903034623931819
半導体装置の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255719
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077353
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 光アニールによって結晶化させた半導体被膜を用いて作製される薄膜トランジスタの特性、信頼性等を向上させる。【解決手段】 非晶質半導体膜をその最も狭い部分の幅が100μm以下になるようにエッチングし、島状半導体領域を形成する。そして、これにレーザー等の強光を照射することにより光アニールを施し、結晶化させる。その後、前記半導体膜の端部(周辺部)のうち、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを形成する部分、もしくはゲイト電極の横断する部分をエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体膜に線状レーザービームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記レーザービームは、YAGレーザーの高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 F
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (1件)
前のページに戻る
