特許

J-GLOBAL ID：200903034696140097

プラズマエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076568
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274077
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属ポリサイドゲートのエッチングにおいて、実用的なエッチングレートを確保しつつ、選択性、異方性、低汚染性等の諸特性を高いレベルで同時に満足させ得る、プラズマエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングガスとして、Cl2 O等の酸化塩素系化合物ガスを採用する。SF6 等の汎用F系ガスを混合した2段階エッチングや、S2 Cl2 等プラズマ中に遊離のイオウを放出し得るガスを併用してもよい。【効果】 蒸気圧が比較的大きい高融点金属のオキシ塩化物を反応生成物として利用するので、実用的なエッチングレートが得られる。同じく反応生成物である塩化物や酸化物はポリサイドパターン側面に残留するので、強固な側壁保護膜7となる。このため良好な異方性加工が達成され、しかもイオンエネルギを低減でき、選択比が向上する。イオウの堆積を側壁保護膜7に併用すれば、一層の低ダメージ化、低汚染化が図れる。

請求項（抜粋）：

基板上に多結晶シリコン層と高融点金属シリサイド層が、この順に積層され形成された高融点金属ポリサイド層のプラズマエッチング方法において、少なくとも酸化塩素系化合物ガスを含むエッチングガスによりプラズマエッチングすることを特徴とする、高融点金属ポリサイド層のプラズマエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 D ,  H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/304 341 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-094520
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210326   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-096223
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097914   出願人：ソニー株式会社