特許
J-GLOBAL ID：200903034723148828
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066789
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261646
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された配線と、それに交差する局所配線との間の十分な絶縁性を安定して確保することができる半導体装置技術を提供する。【解決手段】 半導体基板の絶縁性表面上に、第1の配線、第1の絶縁膜、及び第1の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第2の絶縁膜からなる積層構造を形成する。積層構造の上面及び側面を含む基板表面上に、第2の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第1のスペーサ絶縁層を堆積し、第1のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングして積層構造の側面上に、第1のスペーサ領域を残す。第2の絶縁膜を除去する。第1のスペーサ領域の表面を含む基板表面上に、第2のスペーサ絶縁層を堆積し、第2のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングし、第1のスペーサ領域の側面上に第2のスペーサ領域を残す。第1の配線と交差し、第1及び第2のスペーサ領域と第1の絶縁膜とにより第1の配線と電気的に絶縁された第2の配線を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する半導体基板の該絶縁性表面上に、導電性材料からなる第1の配線、該第1の配線の上に配置された第1の絶縁膜、及び該第1の絶縁膜の上に配置され、該第1の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第2の絶縁膜からなる積層構造を形成する工程と、前記積層構造の上面及び側面を含む基板表面上に等方的に、前記第2の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる絶縁材料からなる第1のスペーサ絶縁層を堆積し、該第1のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングして前記積層構造の側面上に、第1のスペーサ領域を残す工程と、前記第2の絶縁膜を除去する工程と、前記第1のスペーサ領域の表面を含む基板表面上に、第2のスペーサ絶縁層を堆積し、該第2のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングし、前記第1のスペーサ領域の側面上に第2のスペーサ領域を残す工程と、前記第1の配線と交差し、前記第1及び第2のスペーサ領域と前記第1の絶縁膜とにより前記第1の配線と電気的に絶縁された第2の配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3213
, H01L 21/3065
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
H01L 21/88 D
, H01L 21/302 J
, H01L 27/10 381
