特許
J-GLOBAL ID：200903034726217529

半導体製造方法、半導体製造装置および表示装置

発明者：
廣江 昭彦

廣江 昭彦 について

, 
大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

, 
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239646
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071163
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。【解決手段】nチャネル薄膜トランジスタおよびpチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造する半導体製造方法であって、高密度プラズマを用いて少なくとも(220)の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜20を形成する第1の工程と、水素含有プラズマにより微結晶シリコン膜20を水素にて終端させる第2の工程と、を有する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜20を形成して、移動度を高めることができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
nチャネル薄膜トランジスタおよびpチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造する半導体製造方法であって、 高密度プラズマを用いて少なくとも(220)の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、 水素含有プラズマにより前記微結晶シリコン膜を水素にて終端させる第2の工程と、を備える半導体製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/56
FI (6件)：
H01L29/78 627E ,  H01L21/205 ,  H01L29/78 618A ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L29/78 620
Fターム (65件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EF03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF09 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05 ,  5F045HA11 ,  5F110AA07 ,  5F110AA17 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG46 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平2-228042号公報
  • 特開平2-232934号公報
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

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