特許
J-GLOBAL ID：200903037455207661
プラズマ処理装置の制御方法およびプラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232475
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048982
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 プラズマを均一に発生させるためにガスを供給する順序を制御する方法を提供する。【解決手段】 マイクロ波プラズマ処理装置100は,マイクロ波発生器28から出力されたマイクロ波を,複数の導波管22を介してスロットアンテナ23のスロットから複数枚の誘電体パーツに伝播させ,各誘電体パーツを透過して処理容器10内に放射させる。制御装置40は,Arガスを処理容器10内に供給させながら,マイクロ波のパワーを処理容器10内に入射させる。マイクロ波のパワーによりArガスがプラズマ着火した後,Arガスよりもプラズマ化するためにより大きなエネルギーを必要とするガスであるSiH4ガスおよびNH3ガスを処理容器10内に供給させる。これにより,マイクロ波プラズマ処理装置100は,処理容器10内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて良質なSiN膜を安定的に発生させることができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
処理容器内に入射されたマイクロ波のパワーにより処理ガスをプラズマ化させて,被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の制御方法であって:
第1のガスを前記処理容器内に供給させながら,マイクロ波のパワーを前記処理容器内に入射させ;
前記マイクロ波のパワーにより前記第1のガスがプラズマ着火した後,前記第1のガスよりもプラズマ化するためにより大きなエネルギーを必要とする第2のガスを前記処理容器内に供給させることを特徴とするプラズマ処理装置の制御方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030BA40
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA41
, 5F045AA09
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC16
, 5F045DP03
, 5F045EB11
, 5F045EE18
, 5F045EH20
, 5F045EK19
, 5F045EK28
, 5F045GB08
