特許

J-GLOBAL ID：200903034730010610

レジスト剥離用組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 岩元 勇人 ,  金村 龍一 ,  遠藤 愛 ,  鈴木 智子 ,  平賀 敏隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  イーケーシー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370742
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173033
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 レジストやポリマー残渣を確実に剥離除去可能とし、配線へのダメージを最小限に抑える。【解決手段】 半導体基板上の金属膜又は半導体膜をドライエッチングし、所定のパターンを有する配線層を形成した後、あるいは、配線層が形成された半導体基板上に絶縁層を形成し、これを所定のパターンにドライエッチングした後、フッ素化合物、有機溶媒及び水を含有し、糖アルコールを添加したレジスト剥離用組成物により薬液処理する。レジスト剥離用組成物のpHは8以上とする。糖アルコールとしては、例えばキシリトールを用いる。

請求項（抜粋）：

フッ化水素酸と金属を含まない塩基との塩、有機溶媒、糖アルコール、及び水を含有し、且つ水素イオン濃度が8以上であることを特徴とするレジスト剥離用組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (4件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  2H096LA06 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-258118   出願人：東京応化工業株式会社
• アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-054872   出願人：東京応化工業株式会社