特許
J-GLOBAL ID：200903076946774490

アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法

発明者：
横井 滋

横井 滋 について

, 
脇屋 和正

脇屋 和正 について

, 
小林 政一

小林 政一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054872
公開番号（公開出願番号）：特開2001-242642
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。【解決手段】 フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含むアッシング後の処理液であって、少なくとも多価アルコール、および水溶性有機溶媒(ただし多価アルコールを除く)を配合してアッシング後の処理液とする。そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液組成物を適用して基板を処理する。
請求項（抜粋）：
(a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含むアッシング後の処理液であって、少なくとも(b)多価アルコール、および(c)水溶性有機溶媒(ただし(b)成分を除く)を含有することを特徴とする、アッシング後の処理液。
IPC (6件)：
G03F 7/42 ,  C11D 7/10 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306
FI (6件)：
G03F 7/42 ,  C11D 7/10 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 D
Fターム (25件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  2H096LA07 ,  2H096LA09 ,  4H003CA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EA05 ,  4H003EB04 ,  4H003EB13 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003ED08 ,  4H003FA15 ,  5F004AA09 ,  5F004FA07 ,  5F043AA37 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F046MA02 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F046MA19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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