配線膜の形成方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269334
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】孔・溝を気孔のない金属材料で埋込み処理して健全な配線膜を形成する。【解決手段】孔・溝2Aを有する絶縁膜2にバリア層3を形成し、この表面にPVD法によってシード層4を形成すると共にメッキ法によって配線膜5Aを積み重ね、これを高温高圧ガス雰囲気下で熱処理する。

請求項（抜粋）：

孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅または銅合金の金属材料で被膜することにより、前記孔・溝の内部に該金属材料を押込んで充填して配線膜を形成する方法であって、前記孔・溝を含む絶縁膜の表面にバリア層を形成した後、PVD法によって前記孔・溝の開口部をブリッジングして閉塞するように前記金属材料によるシード層を形成し、該シード層の表面に、結晶粒子からなる銅または銅合金の金属材料をメッキ法によって析出して配線膜を形成し、その後、高温高圧のガス雰囲気下で熱処理して前記孔・溝の内部に前記金属材料を押込んで充填することを特徴とする配線膜の成形方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , C25D 3/38 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 C , C25D 3/38 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/288 E , H01L 21/88 M

Fターム (48件)：

4K023AA19 , 4K023AB38 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB37 , 4M104CC01 , 4M104DD33 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD78 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033LL07 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP21 , 5F033PP27 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ86 , 5F033WW01 , 5F033XX03 , 5F033XX10 , 5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (6件)

凹所充てん方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-502541 出願人：トリコンエクイップメンツリミティド
配線形成層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209833 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064962 出願人：ソニー株式会社

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