特許
J-GLOBAL ID：200903062510144296
配線形成層の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209833
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064173
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の絶縁膜に形成した接続孔の内部に導電性の配線形成層を十分に埋め込むには高温または高圧を必要としていたため、装置コストが高くなる、プロセスの安定性が悪くなる等の課題があった。【解決手段】 下地層12に形成した接続孔13の内部に下地層12上に形成した配線形成層15をリフローによって導入する方法であって、配線形成膜15を形成する前に、少なくとも接続孔13の側壁上部およびその周囲の下地層12上に、配線形成層15のリフロー温度よりも低い融点を有する金属系材料からなる下地潤滑層14を形成する製造方法である。この下地潤滑層14は、配線形成層15のリフロー温度で下地層12に対して配線形成層15を滑らせる金属系材料で形成してもよい。
請求項（抜粋）：
下地層に形成した接続孔の内部に、該下地層上に形成した配線形成層をリフローによって導入する配線形成層の製造方法において、前記配線形成膜を形成する前に、少なくとも前記接続孔の側壁上部および該接続孔周囲の前記下地層上に、該配線形成層のリフロー温度よりも低い融点を有する金属系材料からなる下地潤滑層を形成することを特徴とする配線形成層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/88 B
