特許

J-GLOBAL ID：200903034758307228

硫化ランタンまたは硫化セリウム焼結体およびその製造方法

発明者： 上村 揚一郎 ,  三友 護 ,  西村 聡之 ,  平井 伸治 ,  嶋影 和宜
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-335367
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：

【要約】【課題】 ゼーベック係数の大きな熱電変換材料として優れた新規材料の提供。【構成】 組成がLa2 S3またはCe2 S3であり、結晶構造がβ相とγ相の混合相からなり、ゼーベック係数がγ単相のものより大きい硫化ランタンまたは硫化セリウム焼結体。酸素濃度を一定範囲とし、炭素不純物濃度を抑制した高純度のβ相のLa2 S3 粉末原料またはα相のCe2 S3粉末原料を、内面にh-BNを塗布した炭素製型に入れ、真空中でホットプレスすることによってゼーベック係数が大きいβとγの混合相が形成される。

請求項（抜粋）：

組成がLa2 S3 またはCe2 S3 で示され、結晶構造がβとγの混合相からなり、ゼーベック係数がγ単相のときより大きい値を有することを特徴とする硫化ランタン焼結体または硫化セリウム焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/547 ,  C04B 35/495 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

FI (4件)：

H01L 35/16 ,  H01L 35/34 ,  C04B 35/00 T ,  C04B 35/00 J

Fターム (5件)：

4G030AA55 ,  4G030BA05 ,  4G030CA01 ,  4G030GA09 ,  4G030GA29

引用文献：

審査官引用 (1件)

• STABILITY OF γ PHASE La2S3-x