特許

J-GLOBAL ID：200903034765912404

エッチング用組成物

発明者： 原 靖 ,  高橋 史治 ,  林 博明
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-187421
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012640
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 二酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、窒化ケイ素を低温又は高温で、選択的かつ工業的な速度で除去できるエッチング用組成物を提供する。【解決手段】 F/Siの原子比が6.0未満のケイ素とフッ素の化合物及び/又は混合物にリン酸を含んでなる窒化ケイ素エッチング用組成物を用いる。リン酸としてはオルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸が好ましい。100°C以下の低温エッチングの場合には、フッ化水素酸換算で10ppm〜10重量%、リン酸の含量が0.1〜85重量%、120〜180°Cの高温エッチングの場合にはSiFの含量が10ppm〜1重量%、リン酸の含量が80〜99重量%が好ましい。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

F/Si原子比が6.0未満のケイ素とフッ素の化合物及び/又は混合物にリン酸を含んでなるエッチング用組成物。

IPC (1件)：

H01L 21/308

FI (1件)：

H01L21/308 E

Fターム (2件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 窒化ケイ素のエッチング方法およびそれに適したエッチング組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-228787   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-018994   出願人：森田化学工業株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216208   出願人：ソニー株式会社
• 窒化シリコンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198311   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション