特許
J-GLOBAL ID：200903034766314454

誘電体形成用フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法

発明者：
山下 隆徳

山下 隆徳 について

, 
柴田 幸知

柴田 幸知 について

, 
高橋 至郎

高橋 至郎 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165144
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351533
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 画素欠陥が少なく、絶縁破壊が起こりにくい誘電体層を形成するための、誘電体層形成用転写フィルムおよびPDPの製造方法を提供する。【解決手段】 膜形成材料層が支持フィルム上に形成されてなり、当該膜形成材料層を基板上に転写し、焼成することにより得られるガラス焼結体表面における深さ10μm以上の局所的なくぼみの数が、1m2 当たり3個以下であることを特徴とする、誘電体層形成用転写フィルムを提供する。
請求項（抜粋）：
膜形成材料層が支持フィルム上に形成されてなり、当該膜形成材料層を基板上に転写し、焼成することにより得られるガラス焼結体表面における深さ10μm以上の局所的なくぼみの数が、1m2 当たり3個以下であることを特徴とする、誘電体層形成用転写フィルム。
IPC (4件)：
H01J 11/02 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 31/24 ,  H01J 9/02
FI (4件)：
H01J 11/02 B ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 31/24 ,  H01J 9/02 F
Fターム (35件)：
4F100AA17 ,  4F100AA20 ,  4F100AA33 ,  4F100AG00 ,  4F100AK25G ,  4F100AK42 ,  4F100AT00B ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100CA04 ,  4F100EC042 ,  4F100EH112 ,  4F100EH46 ,  4F100EJ19 ,  4F100EJ31 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ48 ,  4F100EJ86 ,  4F100EJ91 ,  4F100GB41 ,  4F100JG05 ,  4F100JK14 ,  4F100JM02A ,  4F100YY00 ,  5C027AA05 ,  5C027AA10 ,  5C040FA01 ,  5C040GB03 ,  5C040GB14 ,  5C040GD01 ,  5C040GD09 ,  5C040MA02 ,  5C040MA10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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