特許
J-GLOBAL ID：200903034776631970

Cu成膜用CVD装置

発明者：
豊田 吉彦

豊田 吉彦 について

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深田 哲生

深田 哲生 について

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森 剛

森 剛 について

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長谷川 万希子

長谷川 万希子 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251850
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：
【要約】【課題】 Cu成膜用のCVD装置において、配管やチャンバ等の表面に反応物が析出することを抑制する。【解決手段】 Cu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはCu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Cuを成膜するCVD装置において、原料が存在する部分における部材の表面に、フッ素含有樹脂、金属フッ素化物,絶縁物あるいはTiの化合物を存在させる。
請求項（抜粋）：
Cu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはCu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Cuを成膜するCVD(Chemical Vapor Deposition )装置において、前記原料が存在する部分における部材の表面にフッ素含有樹脂,金属フッ素化物,絶縁物あるいはTiの化合物が存在することを特徴とする、Cu成膜用CVD装置。
IPC (4件)：
C23C 16/14 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C23C 16/14 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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