Cu成膜用CVD装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251850
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 Cu成膜用のCVD装置において、配管やチャンバ等の表面に反応物が析出することを抑制する。【解決手段】 Cu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはCu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Cuを成膜するCVD装置において、原料が存在する部分における部材の表面に、フッ素含有樹脂、金属フッ素化物,絶縁物あるいはTiの化合物を存在させる。

請求項（抜粋）：

Cu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される液体原料あるいはCu(HFA)とこれにアダクトする分子より構成される固体原料と溶媒の混合物を原料とし、Cuを成膜するCVD(Chemical Vapor Deposition )装置において、前記原料が存在する部分における部材の表面にフッ素含有樹脂,金属フッ素化物,絶縁物あるいはTiの化合物が存在することを特徴とする、Cu成膜用CVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/14 , C23C 16/44 , H01L 21/285 , H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/14 , C23C 16/44 J , H01L 21/285 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059889 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-183880 出願人：株式会社東芝
成膜処理装置及び成膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079954 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社

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