特許
J-GLOBAL ID：200903034778532244
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-340539
公開番号（公開出願番号）：特開2003-138104
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：
【要約】【解決手段】 下記(A)〜(H)成分を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機充填材(D)硬化促進剤(E)分子中に2個以上のマレイミド基を有する化合物(F)分子中に1個以上のアルケニル基を有するフェノール化合物(G)下記平均組成式で示されるオルガノポリシロキサンR1mR2nSi(OR3)p(OH)qO(4-m-n-p-q)/2(H)下記平均組成式で示されるホスファゼン化合物【化1】【効果】 本発明の半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れると共に、難燃性及び耐湿信頼性に優れた硬化物を得ることができる。
請求項（抜粋）：
下記(A)〜(H)成分を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂(B)硬化剤(C)無機充填材(D)硬化促進剤(E)分子中に2個以上のマレイミド基を有する化合物(F)分子中に1個以上のアルケニル基を有するフェノール化合物(G)下記平均組成式(1)で示されるオルガノポリシロキサン R<SP>1</SP><SB>m</SB>R<SP>2</SP><SB>n</SB>Si(OR<SP>3</SP>)<SB>p</SB>(OH)<SB>q</SB>O<SB>(4-m-n-p-q)/2</SB> (1) (式中、R<SP>1</SP>はフェニル基、R<SP>2</SP>は炭素数1〜6の一価炭化水素基又は水素原子、R<SP>3</SP>は炭素数1〜4の一価炭化水素基を表し、m,n,p,qは、0≦m≦2.0、0≦n≦1.0、0≦p≦2.5、0≦q≦0.35、0.92≦m+n+p+q≦2.8を満足する数である。)(H)下記平均組成式(2)で示されるホスファゼン化合物【化1】(但し、Xは単結合、又はCH<SB>2</SB>,C(CH<SB>3</SB>)<SB>2</SB>,SO<SB>2</SB>,S,O,及びO(CO)Oから選ばれる基、YはOH,SH又はNH<SB>2</SB>、R<SP>4</SP>は炭素数1〜4のアルキル基及びアルコキシ基,NH<SB>2</SB>,NR<SP>5</SP>R<SP>6</SP>並びにSR<SP>7</SP>から選ばれる基で、R<SP>5</SP>,R<SP>6</SP>,R<SP>7</SP>は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。d,e,f,nは、0≦d≦0.25n、0≦e<2n、0≦f≦2n、2d+e+f=2n、3≦n≦1,000を満足する数を示す。)
IPC (8件)：
C08L 63/00
, C08K 3/00
, C08K 5/3415
, C08L 61/14
, C08L 83/00
, C08L 85/02
, H01L 23/29
, H01L 23/31
C08L 63/00 C
, C08K 3/00
, C08K 5/3415
, C08L 61/14
, C08L 83/00
, C08L 85/02
, H01L 23/30 R
4J002CC045
, 4J002CC05X
, 4J002CD00W
, 4J002CE005
, 4J002CP02Y
, 4J002CP03Y
, 4J002CQ01Z
, 4J002DE136
, 4J002DE146
, 4J002DF016
, 4J002DJ006
, 4J002DJ016
, 4J002DK006
, 4J002DL006
, 4J002EJ038
, 4J002EU027
, 4J002FA046
, 4J002FD016
, 4J002FD067
, 4J002FD145
, 4J002FD208
, 4J002GQ05
, 4M109AA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB13
, 4M109EB18
, 4M109EC20
