半導体製造装置およびその異物除去方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213326
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054485
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】稼動率を下げることなく、ウェハ上に付着する微小な異物の低減が図られる半導体製造装置とその異物除去方法とを提供する。【解決手段】真空処理室10に水または水蒸気を導入するための気体等導入配管80が接続されている。真空処理室10は、真空排気口12により排気され、導入された水蒸気または水が断熱膨張により浮遊する微小な異物70を核として固化または液化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に所定のプロセスを施すための処理室と、前記処理室内に所定の液体または気体を導入するための導入配管と、前記処理室内を排気し、前記処理室内に導入された前記液体または気体を断熱膨張により、前記処理室内に浮遊する異物を核として固化または液化させるための排気手段とを備えた、半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-142374
ドライエッチング装置と清浄化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-054016 出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス
特開平4-221827

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