異方性High-Kゲート誘電体を有するトランジスタエレメント

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-533030
公開番号（公開出願番号）：特表2005-537670
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

電界効果トランジスタ300は異方性誘電体305を含むゲート絶縁層を有する。ゲート絶縁層に対して平行である第一誘電率が、ゲート絶縁層に対して垂直である第二誘電率よりも実質的に低くなるよう、方向が選択される。

請求項（抜粋）：

活性領域上に形成され、high-k誘電体305を有するゲート絶縁層を有する電界効果トランジスタ300であって、前記ゲート絶縁層に垂直である前記high-k誘電体の誘電率は、前記ゲート絶縁層に平行である誘電率よりも高い、電界効果トランジスタ300。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/316

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 M , H01L21/316 P

Fターム (27件)：

5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF36 , 5F058BH01 , 5F058BJ02 , 5F140AA39 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BH14 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-064168 出願人：株式会社東芝
半導体装置とその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-327135 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平4-367262

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