CVD装置用ガストラップ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-525599
公開番号（公開出願番号）：特表2001-527158
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】ホットトラップは、CVDプロセスの排気流から未反応有機金属膜前駆体を変換する。変換された前駆体がホットトラップの表面上に金属膜を形成することにより、それにより熱い真空ポンプ表面を金属蓄積から保護する。ホットトラップ下流のコールドトラップは、排気流から発出物を凍結する。ホットトラップで補足され金属と、コールドトラップで補足された発出物はその後、環境への排出物として放出されることなくリサイクルされることができる。

請求項（抜粋）：

化学的気相堆積プロセスからの発出ストリーム内の未反応金属膜前駆体を変換するための装置であって、導管によりプロセスチャンバへ接続されたホットトラップであって、前記ホットトラップは、前記配管を介して前記プロセスチャンバからの前記発出ストリームを受け取り、ここで前記ホットトラップは、前記未反応の金属膜前駆体の少なくとも一部を分解するのに十分な第1温度まで加熱される第1表面を有し、もって変換された発出ストリームを提供するように成したホットトラップと、前方配管により前記ホットトラップへ接続された真空ポンプであって、、前記真空ポンプは、前記プロセスチャンバと排気ポート間の圧力差を提供する能力があり、前記真空ポンプは、前記ホットトラップから前記変換された発出ストリーム流を受け取り、そして前記排気ポートを介して前記変換された発出ストリームを排気するように成した真空ポンプと、を備える装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , B01D 8/00

FI (2件)：

C23C 16/44 E , B01D 8/00 Z

Fターム (23件)：

4D076AA14 , 4D076BE03 , 4D076BE09 , 4D076CD22 , 4D076EA09X , 4D076EA09Y , 4D076EA12X , 4D076EA12Y , 4D076EA14X , 4D076EA14Y , 4D076FA02 , 4D076FA04 , 4D076FA11 , 4D076FA15 , 4D076FA25 , 4D076FA33 , 4D076HA03 , 4D076HA12 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030EA13 , 4K030KA45 , 4K030LA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-024073 出願人：株式会社東芝
特開昭64-053412
真空排気システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-151590 出願人：株式会社荏原製作所

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