特許
J-GLOBAL ID：200903034806587122

埋め込み金属配線及び埋め込み金属配線の形成方法

発明者：
長濱 嘉彦

長濱 嘉彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365972
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168686
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 CMP時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法(ダマシン法:Damascene)による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】 フィールド部の層間絶縁膜上に、SiN膜やSiC膜などのCMP停止機能と金属拡散防止機能の両機能を有する膜を成膜するすることにより、CMP時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線を形成することができる。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁膜に設けられた配線溝に導電性金属を埋め込んでなる埋め込み金属配線において、化学的機械研磨処理に対する停止層機能と金属拡散防止層機能とを有する第2の絶縁膜が、配線溝を除く第1の絶縁膜上に設けられ、かつ第2の絶縁膜の上面が配線溝に埋め込まれた埋め込み金属配線の上面の延長面上にあることを特徴とする埋め込み金属配線。
FI (2件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 B
Fターム (18件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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