特許

J-GLOBAL ID：200903062503614643

半導体装置の製造方法

発明者： 松本 明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019015
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223490
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】有機系の低誘電率膜を層間絶縁膜とした場合の溝配線の形成において、CMP技術の適用を容易とする。【解決手段】溝配線の形成において、有機系の低誘電率絶縁膜3で構成される層間絶縁膜の所定の領域に、積層する無機絶縁膜で構成され開口8を有するマスク層4,5を形成する。そして、このマスク層をエッチングマスクとしたドライエッチングで有機系の低誘電率絶縁膜3に配線溝9を形成し、導電体膜のCMPでもって溝配線を形成する。ここで、マスク層は、有機系の低誘電率絶縁膜3をCMPの研磨から保護する。また、このマスク層のうち下層にある無機絶縁膜が上記有機低誘電率絶縁膜をプラズマ・アッシング等のレジストマスク除去の工程から保護する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に有機系の絶縁膜を形成する工程と、前記有機系の絶縁膜上に2種以上の積層した無機絶縁膜で構成されるマスク層を形成し前記マスク層に開口を形成する工程と、前記マスク層をエッチングマスクにしたドライエッチングで前記有機系の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/3213

FI (6件)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/88 D

Fターム (55件)：

4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD61 ,  4M104DD71 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR21 ,  5F033RR26 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292515   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361106   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-244020   出願人：株式会社東芝