特許
J-GLOBAL ID：200903034833450988

垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni-W-B系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜

発明者：
澤田 俊之

澤田 俊之 について

, 
岸田 敦

岸田 敦 について

, 
柳谷 彰彦

柳谷 彰彦 について


出願人/特許権者：
山陽特殊製鋼株式会社

山陽特殊製鋼株式会社 について


代理人 (1件)： 椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-247182
公開番号（公開出願番号）：特開2009-079236
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるNi-W-B系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。【解決手段】 at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni-W-B系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni-W-B系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したNi-W-B系薄膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
at%で、W:1〜20%,B:0.1〜10%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ni-W-B系スパッタリングターゲット材。
IPC (8件)：
C23C 14/34 ,  C22C 19/03 ,  B22F 9/08 ,  B22F 3/15 ,  B22F 3/17 ,  G11B 23/30 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/851
FI (9件)：
C23C14/34 A ,  C22C19/03 M ,  B22F9/08 A ,  B22F3/15 H ,  B22F3/17 C ,  B22F3/15 M ,  G11B23/30 B ,  G11B5/64 ,  G11B5/851
Fターム (29件)：
4K017AA04 ,  4K017BA03 ,  4K017BB04 ,  4K017BB18 ,  4K017DA03 ,  4K017EB00 ,  4K017EK01 ,  4K017FA03 ,  4K017FA05 ,  4K017FA11 ,  4K018AA07 ,  4K018BC06 ,  4K018BD02 ,  4K018EA16 ,  4K018EA42 ,  4K018EA46 ,  4K018FA06 ,  4K018KA29 ,  4K029BA25 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D006BB01 ,  5D006DA08 ,  5D112AA05 ,  5D112BB01 ,  5D112FB02
引用特許：
審査官引用 (3件)

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