ニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108715
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303787
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にSn-Pb系ハンダバンプを形成するに際し、該Sn-Pb系ハンダバンプとの濡れ性が良好であると共に、該Sn-Pb系ハンダの成分であるSnの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することのできるバリヤー層を形成する。【解決手段】 Ni-Sn合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとSn-Pb系ハンダバンプとの間におけるSn拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

Ni-Sn合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとSn-Pb系ハンダバンプとの間におけるSn拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

H01L 21/285 , C22C 13/00 , C22C 19/03 , C23C 14/34

FI (4件)：

H01L 21/285 S , C22C 13/00 , C22C 19/03 M , C23C 14/34 A

Fターム (14件)：

4K029BA25 , 4K029BD02 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH05 , 4M104HH08

引用特許：

審査官引用 (4件)

プリント配線板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-290449 出願人：イビデン株式会社
ニッケル系BM膜、及びBM膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155091 出願人：日本真空技術株式会社
特開昭56-135927

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