特許
J-GLOBAL ID：200903034847100408
不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
政木 良文
, 橋本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-289838
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063516
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 メモリセルが3値以上のデータを記憶可能な不揮発性半導体記憶装置において、多値データを高速に書き込める書き込み方法を提供する。【解決手段】 書き込み対象メモリセルに、書き込み前の記憶状態に対応する閾値電圧範囲と書き込み後の記憶状態に対応する閾値電圧範囲との間に、他の記憶状態に対応する閾値電圧範囲が少なくとも1つ存在する場合において、書き込み対象メモリセルに、少なくとも1つの他の記憶状態に各別に対応する少なくとも1つの第1書き込みゲート電圧と、所定の書き込みドレイン電圧を印加する第1書き込み工程と、書き込み後の書き込み状態に対応する第2書き込みゲート電圧と、所定の書き込みドレイン電圧を印加する第2書き込み工程を夫々実行した後に、書き込み対象メモリセルが書き込まれたか否かを検証するベリファイ工程を実行する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
チャネル領域と制御ゲート間に絶縁膜を介して電荷蓄積領域の形成されたトランジスタを有し、前記電荷蓄積領域の電荷量に応じて決定される閾値電圧のレベルに応じて2以上の書き込み状態を含む3以上の記憶状態を取り得るメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列し、同一行の前記メモリセルの前記制御ゲートを相互に接続して共通のワード線とし、同一列の前記メモリセルのドレインを相互に接続して共通のビット線として構成されたメモリセルアレイを備えてなる不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法であって、
前記2以上の書き込み状態に各別に対応する複数の書き込みゲート電圧を予め設定しておき、
書き込み対象メモリセルに、書き込み前の記憶状態に対応する閾値電圧範囲と書き込み後の記憶状態に対応する閾値電圧範囲との間に、他の記憶状態に対応する閾値電圧範囲が少なくとも1つ存在する場合において、
前記書き込み対象メモリセルに接続する前記ワード線に、少なくとも1つの前記他の記憶状態に各別に対応する少なくとも1つの第1書き込みゲート電圧を夫々印加し、前記書き込み対象メモリセルに接続する前記ビット線に、所定の書き込みドレイン電圧を印加する第1書き込み工程と、前記書き込み対象メモリセルに接続する前記ワード線に、前記書き込み後の書き込み状態に対応する第2書き込みゲート電圧を印加し、前記書き込み対象メモリセルに接続する前記ビット線に、所定の書き込みドレイン電圧を印加する第2書き込み工程を夫々実行した後に、
前記書き込み対象メモリセルが書き込まれたか否かを検証するベリファイ工程を実行することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 641
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 633D
5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AE05
