電気化学的分子メモリー装置で使用するモルホール埋め込み3Dクロスバー構造

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-582835
公開番号（公開出願番号）：特表2005-520348
出願日： 2002年10月07日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

基材上に直接形成された銀層アレー、前記銀の導体アレーを被覆する絶縁体および前記絶縁体の最上部に付着された金のアレーを含む電気化学的アレーが提供される。金の導体アレーが銀の導体アレーとオーバーラップする領域にウェルが形作られ、前記ウェルの壁および/または床に導体リングが形成される。続いて、各ウェル内の1つまたは2つ以上の導体の表面に分子を結合させることができる。

請求項（抜粋）：

電気化学的セルアレーであって、前記セルアレーが複数のナノスケールの電気化学的セルを含み、ここで前記アレーを構成するセルは約1μm2未満の断面積を有するウェルであり、前記ウェルの壁は第一の電極および第二の電極を含み、前記第一の電極および第二の電極は不導体または半導体によって分離され、前記ウェルの内部に暴露される前記第一の電極の表面積と前記ウェルの内部に暴露される前記第二の電極の表面積との比は少なくとも約2:1である前記電気化学的セルアレー。

IPC (6件)：

H01L27/10 , C12N15/09 , G01N27/416 , G01N33/483 , G01N37/00 , H01L51/00

FI (6件)：

H01L27/10 449 , G01N33/483 F , G01N37/00 102 , H01L29/28 , C12N15/00 F , G01N27/46 336M

Fターム (20件)：

2G045DA13 , 2G045DA36 , 2G045FB03 , 2G045FB05 , 4B024AA11 , 4B024CA02 , 4B024CA04 , 4B024CA09 , 4B024CA12 , 4B024HA12 , 4B024HA19 , 5F083FZ07 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA51 , 5F083PR03 , 5F083PR04 , 5F083PR05

引用特許：

審査官引用 (2件)

マイクロ電極システム
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-549953 出願人：センサーフレックス・リミテッド
高密度の不揮発性記憶デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-508444 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, ノースカロライナステイトユニバーシティ

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