特許

J-GLOBAL ID：200903034858068875

表面処理方法及び表面処理装置

発明者： 東野 秀史 ,  米元 公彦 ,  菅野 仁
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-210171
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027564
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 本発明は、基板表面もしくは薄膜上に、簡単に、その大きさや分布の詳細な制御がされた凹凸面を形成することのできる、表面処理方法及び表面処理装置を提供する。【解決手段】 被処理物上に微粒子を散布する工程と、前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、を備えたことを特徴とする表面処理方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理物上に微粒子を散布する工程と、 前記微粒子をマスクとして、前記被処理物をプラズマ処理する工程と、 を備えたことを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  C23C 24/08

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  C23C24/08 A

Fターム (20件)：

4K044AA13 ,  4K044AB10 ,  4K044BA14 ,  4K044BA20 ,  4K044BB01 ,  4K044BB14 ,  4K044BC08 ,  4K044CA24 ,  4K044CA29 ,  4K044CA41 ,  5F004AA16 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 粗面ポリシリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-015638   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 表面加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327766   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平3-285084
  
• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063060   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 太陽電池用シリコン基板の粗面化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-063060   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-285084