特許
J-GLOBAL ID：200903034862828027

漸変組成の発光層を有する半導体発光装置

発明者：
ユー チェン シェン

ユー チェン シェン について

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マイケル アール クレイムズ

マイケル アール クレイムズ について

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ネイサン エフ ガードナー

ネイサン エフ ガードナー について


出願人/特許権者：
フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー

フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-342797
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352060
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】半導体発光装置の活性領域の光出力を向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体発光装置内のIII族窒化物発光層は、漸変する組成を有する。発光層の組成は、第1の元素の組成の変化が発光層のオングストロームあたり少なくとも0.2%であるように漸変させることができる。発光層内で漸変させることは、発光層内の偏光場に付随する問題を低減することができる。発光層は、例えば、InxGa1-xN、AlxGa1-xN、又はInxAlyGa1-x-yNとすることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の元素の漸変する組成を有し、n型領域とp型領域の間に配置されたIII族窒化物発光層、 を含み、 前記発光層内の前記第1の元素の組成の変化は、該発光層の厚みに亘って0.2%/オングストロームよりも大きく、かつ1%/オングストロームよりも小さい、 ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 米国特許第6,515,313号
  • 米国特許出願公報2003/0020085
  • 米国特許出願出願番号第09/912,589号
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審査官引用 (2件)

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