特許
J-GLOBAL ID：200903006187034446
III族窒化物光電子半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194733
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074564
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】発光ダイオードおよびレーザダイオードなどのIII族窒化物光電子半導体装置において、層間の界面における歪みを減小させて、界面に生じる転位の可能性を最小限に抑え、装置の動作効率を増大させる。【解決手段】 発光ダイオードまたはレーザダイオードは、サファイア基板1と、基板1上に成長させたGaNバッファ層2と、n型ドープGaNコンタクト層3と、n型ドープ(AlGa)Nクラッド層4と、Zn(InGa)N活性層5と、p型ドープ(AlGa)Nクラッド層6と、p型ドープGaNコンタクト層7とを有する。グレイデッド層41、42、43、および44は、クラッド層4および6とコンタクト層3および7と活性層5との間の界面に導入される。各グレイデッド層41、42、43、および44の成分は、層の一方の面から他方の面に向かってその含有量が変化し、それにより層が各面において隣接する層と格子整合する。
請求項（抜粋）：
基板と、第1のドーピング型の第1のコンタクト領域と、該第1のドーピング型の第1のクラッド領域と、第1のIII族窒化物半導体材料から形成される活性領域と、該第1のドーピング型と逆の第2のドーピング型の第2のクラッド領域と、該第2のドーピング型の第2のコンタクト領域と、第1のグレイデッド層とを有し、該第1のコンタクト領域と該第1のクラッド領域と該活性領域と該第2のクラッド領域と該第2のコンタクト領域とは、該基板上に順々に形成され、少なくとも1つの該第1および第2のクラッド領域は該第1のIII族窒化物半導体材料と格子不整合である第2のIII族窒化物半導体材料から形成され、該活性領域と少なくとも1つの該第1および第2のクラッド領域との間の格子不整合を補償するために、該活性領域と少なくとも1つの該第1および第2のクラッド領域との間に第1のグレイデッド層が挿入され、それにより該第1のグレイデッド層の一方の面が該活性領域と格子整合し、該第1のグレイデッド層の他方の面が少なくとも1つの該第1および第2のクラッド領域と格子整合し、また該第1のグレイデッド層が該第1のグレイデッド層の該一方の面から該他方の面に向かって含有量が変化する成分を包含する、III族窒化物光電子半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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