特許

J-GLOBAL ID：200903020073476948

勾配組成活性領域を有する発光ダイオード

発明者： デイヴィッド ピー ブール ,  ナサン エフ ガードナー ,  ワーナー ケイ ゲッツ ,  スティーブン エイ ストックマン ,  テツヤ タケウチ ,  グーラム ハスネン ,  クリストファー ピー ココット ,  マーク アール ヒューシェン
出願人/特許権者： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215461
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060232
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、発光デバイスにおいて活性領域の光出力を向上させることに関する。【解決手段】 本発明の実施の形態による発光デバイスは、第1の面を有する第1導電型の第1半導体層、及び第1半導体層の上に重なって形成された活性領域を含む。活性領域は、量子井戸層又は障壁層のいずれかである第2半導体層を含む。第2半導体層は、第1半導体層の第1の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有する半導体合金から形成される。発光デバイスはまた、活性領域の上に重なって形成された第2導電型の第3半導体層も含む。

請求項（抜粋）：

第1の面を有する第1の導電型の第1半導体層と、量子井戸層及び障壁層の一つであり、かつ前記第1半導体層の前記第1の面にほぼ垂直な方向に勾配付けされた組成を有するIII族窒化物半導体合金から形成された第2半導体層を含む、前記第1半導体層の上に重なる活性領域と、前記活性領域の上に重なる第2の導電型の第3半導体層と、を含むことを特徴とする発光デバイス。

Fターム (5件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021333   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135288   出願人：松下電器産業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082510   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-075682   出願人：三洋電機株式会社