マスクの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-133750
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312045
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、LSIのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】(a)実パターン領域Rと実パターン領域R以外の空き領域Sとを有する基板1上全面に遮光膜2を形成し、(b)空き領域S上の遮光膜2を残存させたまま実パターン領域R上の遮光膜2を所定の形状にパターニングし、(c)その後、実パターン領域R上のパターニングされた遮光膜2aを残存させたまま空き領域S上の遮光膜2bを除去することからなるマスクの形成方法。

請求項（抜粋）：

(a)実パターン領域と該実パターン領域以外の空き領域とを有する基板上全面に遮光膜を形成し、(b)前記空き領域上の遮光膜を残存させたまま実パターン領域上の遮光膜を所定の形状にパターニングし、(c)その後、前記実パターン領域上のパターニングされた遮光膜を残存させたまま前記空き領域上の遮光膜を除去することからなるマスクの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 L , G03F 1/08 A , G03F 1/14 B , H01L 21/30 502 P

Fターム (6件)：

2H095BB01 , 2H095BB03 , 2H095BB16 , 2H095BB31 , 2H095BC08 , 2H095BC27

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-130709
半導体装置および半導体素子の金属配線形成用ホトマスクとその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-111603 出願人：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-373343 出願人：株式会社東芝

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