特許
J-GLOBAL ID:200903034903751085

画像表示装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小野寺 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-286235
公開番号(公開出願番号):特開2008-103609
出願日: 2006年10月20日
公開日(公表日): 2008年05月01日
要約:
【課題】イオン注入とホトリソグラフィーの工程数を削減できる構造をもつ薄膜トランジスタとすることで、製造にかかる時間を短縮した画像表示装置を提供する。【解決手段】ゲート電極GTを薄い下層金属GMBと上層金属GMTの積層構造とし、保持容量Cst部分の上層電極を下層金属GMBのみとする。そして、保持容量Cstの下部電極用インプラを、薄い下層金属GMBを通過させて、ソース・ドレインのインプラと同時に行う。PMOSTFTのゲート電極も下層金属GMBのみとし、ソース・ドレインのインプラと閾値調整インプラを同じレジストを利用して行う。薄膜トランジスタと保持容量をこのような構造としたことで、ホト工程とイオン注入工程が各々1工程削減でき、より短時間で、より廉価に画像表示装置のためのアクティブ・マトリクス基板が得られる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
絶縁性基板上に形成された複数のゲート線と、前記複数のゲート線にマトリクス状に交差して形成された複数のデータ線とを有し、前記ゲート線と前記データ線の交差部分に複数の画素が形成され、前記複数の画素からなる表示領域の外側に当該画素を駆動するための駆動回路を含む周辺回路が形成され、前記画素に薄膜トランジスタと保持容量とを有し、 前記周辺回路に薄膜トランジスタとを有するアクティブ・マトリクス基板で構成された画像表示装置であって、 前記ゲート線は下層金属膜と上層金属膜の積層構造であり、前記保持容量の上部電極は前記ゲート線を構成する前記下層金属膜と同層の金属膜であることを特徴とする画像表示装置。
IPC (8件):
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (9件):
H01L29/78 617L ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 613A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 R ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/00 338
Fターム (107件):
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DA20 ,  5C094DB10 ,  5C094EA10 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH22 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ22 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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