特許
J-GLOBAL ID：200903037389684186
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228527
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 MOSトランジスタと同等かそれ以上の信頼性を達成すると同時に、オン状態とオフ状態の両方で良好な特性が得られる結晶質TFTを実現することを課題とする。そして、そのような結晶質TFTで回路を形成した半導体回路を有する信頼性の高い半導体装置を実現することを課題とする。【解決手段】 半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とを有する半導体装置において、ゲート電極をゲート絶縁膜に接して形成される半導体膜とから成る第1層目と、金属材料から成る第2層目とから形成され、半導体層はチャネル形成領域と一導電型の第1の不純物領域とチャネル形成領域と一導電型の第1の不純物領域とに挟まれ、かつチャネル形成領域に接する一導電型の第2の不純物領域とを有し、一導電型の第2の不純物領域の一部は前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極の第1層目と重なっていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体層と前記半導体層に接して形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極とを有する半導体装置において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜に接して形成された半導体膜からなるゲート電極の第1層目と、前記ゲート電極の第1層目に接して形成されたゲート電極の第2層目とを有し、前記半導体層は、チャネル形成領域と、一導電型の第1の不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記一導電型の第1の不純物領域とに挟まれ、かつ、前記チャネル形成領域に接する一導電型の第2の不純物領域とを有し、前記一導電型の第2の不純物領域の一部は、前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極の第1層目と重なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 K
