特許
J-GLOBAL ID：200903034918014281
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-191350
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026524
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】パワー半導体素子の上面の電極と絶縁基板の回路パターンとをワイヤボンディングによって接続しているため、ワイヤボンディング工程に時間がかかり、また、半導体装置が大型化していた。【解決手段】絶縁基板1の回路パターン1c上にIGBT3の一方の面の主電極を接続し、IGBT3の他方の面の主電極および外部導出端子とを絶縁基板2の回路パターン2aによって接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
両面に導体パターンを有する第1絶縁基板と、
一方の面に第1主電極,他方の面に第2主電極が形成され、前記第1絶縁基板の一方の面の導体パターンに第1主電極が接続されたパワー半導体素子と、該パワー半導体素子の各電極にそれぞれ接続される外部導出端子とを備えた半導体装置において、
少なくとも一方の面に露出した導体パターンを有する第2絶縁基板の該導体パターンによって前記パワー半導体素子の第2主電極と前記外部導出端子とを接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/07
, H01L23/48
, H01L25/18
H01L25/04 C
, H01L23/48 G
