特許

J-GLOBAL ID：200903046564968582

電力用半導体装置

発明者： 山 口 正 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197173
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017658
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 優れた冷却性能を発揮できるようにしたパワー半導体モジュールを提供すると共に、通電に伴い発生する大きな電圧降下及びスイッチングに伴い発生するスパイク電圧・誘起ノイズを減少させるようにしたパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 第1の金属板3a,3bを有する第1の絶縁基板2と、前記第1の絶縁基板2において前記第1の金属板3bに搭載された、端面と上面とのなす角度を鋭角として上面側における電位上昇を無くすベベル構造を有する少なくとも1個の半導体素子5と、前記半導体素子5の上面に接合された第2の金属板10aを有する第2の絶縁基板9とを備えるものとして構成する。

請求項（抜粋）：

第1の金属板を有する第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板において前記第1の金属板に搭載された、端面と上面とのなす角度を鋭角として上面側における電位上昇を抑えるベベル構造を有する少なくとも1個の半導体素子と、前記半導体素子の上面に接合され、その半導体素子の端部においてこの半導体素子の上面との間に絶縁物を介した状態において接合された、この半導体素子の上面側に第2の金属板を有する第2の絶縁基板と、を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 25/07 ,  H01L 23/34 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/40 ,  H01L 25/18

FI (6件)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/40 A ,  H01L 23/40 F ,  H01L 25/04 C ,  H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 M

Fターム (10件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB14 ,  5F036BB18 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BC22 ,  5F036BC33 ,  5F036BD01 ,  5F036BE06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-212325   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭62-035568
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-343267   出願人：芝府エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-024957   出願人：株式会社日立製作所