半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287970
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114129
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】半導体基板を深く彫り込まないで高い視認性を有するマークが形成され、且つ抗折強度の高い半導体基板から形成される半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン半導体基板の研削された裏面3に溶融痕により構成されたレーザマーキングをウェーハ3のときもしくはチップの状態にして行うことを特徴としている。ウェーハ1あるいはチップを深く彫り込まないので高い視認性を有するレーザマーク9を高い抗折強度を有する半導体基板に形成することができる。さらに、チップ裏面を上面にして露出させ、回路基板に搭載されるBGA(Ball Grid Array) タイプのチップなどに用いて最適である。また溶融痕の表面をモニターすることによりその結果をレーザの制御装置に戻してレーザ出力を調整することができる。

請求項（抜粋）：

表面領域に内部回路が形成された主面及び裏面研削された裏面を有する半導体基板を備え、この裏面には溶融痕により形成されたレーザマークが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , B23K 26/00 , H01L 23/00

FI (4件)：

H01L 21/02 A , B23K 26/00 B , B23K 26/00 G , H01L 23/00 A

Fターム (5件)：

4E068AB01 , 4E068CA02 , 4E068CC00 , 4E068DA10 , 4E068DB02

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-106960
特開平4-137744
特開平2-205281

全件表示

前のページに戻る