特許

J-GLOBAL ID：200903034949007810

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： 小山 直之 ,  町井 洋一 ,  吉田 誠人 ,  芦沢 寅之助
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007060
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCPM技術において、研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤および研磨法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン性であり、遊離の-COOM基、フェノール性-OH基、-SO3 M基、-O・SO3 H基、-PO4 M2基又は-PO3 M2 基を有する水溶性有機低分子(MはH、NH4 、またはNa、K等の金属原子)から選ばれる低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに添加剤と水を含む添加液からなり保存安定性を高めることができる。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン性であり、遊離の-COOM基、フェノール性-OH基、-SO3 M基、-O・SO3 H基、-PO4 M2 基又は-PO3 M2 基を有する水溶性有機低分子(MはH,NH4 ,またはNa,K等の金属原子)から選ばれるで低分子添加剤並びに水を含むCMP研磨剤。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  C01F 17/00 ,  C09C 1/68 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  C01F 17/00 A ,  C09C 1/68 ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

Fターム (25件)：

4G076AA02 ,  4G076AA24 ,  4G076AA26 ,  4G076AB09 ,  4G076BA22 ,  4G076BA39 ,  4G076BA46 ,  4G076BC08 ,  4G076BD01 ,  4G076CA05 ,  4G076CA15 ,  4G076CA26 ,  4G076DA30 ,  4J037AA08 ,  4J037CB04 ,  4J037CB09 ,  4J037CB21 ,  4J037CB22 ,  4J037DD24 ,  4J037EE08 ,  4J037EE28 ,  4J037EE29 ,  4J037EE43 ,  4J037FF18 ,  4J037FF23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-147688   出願人：キャボットコーポレイション
• 研磨材、その製造方法、及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-108755   出願人：三井金属鉱業株式会社