特許
J-GLOBAL ID：200903034949579880

ナノチューブ・コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法

発明者：
リンズラー、アンドリュー ガブリエル

リンズラー、アンドリュー ガブリエル について

, 
ピアトン、スティーブン ジェイ.

ピアトン、スティーブン ジェイ. について


出願人/特許権者：
ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド

ユニバーシティ・オブ・フロリダ・リサーチ・ファンデーション・インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-554289
公開番号（公開出願番号）：特表2007-523495
出願日： 2005年02月22日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】 1つ以上の半導体層に対して接触抵抗を低下するコンタクト層を備えたナノチューブを含む電子および光電半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体デバイスは、少なくとも1つの半導体層と、半導体層と電気的に接触する金属層と、金属層と半導体層との間に介在するカーボン・ナノチューブ・コンタクト層とを含む。コンタクト層は、金属層を半導体層に電気的に結合し、低い比接触抵抗を有する半導体コンタクトが得られる。コンタクト層は、可視光範囲の少なくとも一部において、実質的に光透過膜となることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体デバイスであって、 少なくとも1つの半導体層と、 前記半導体層と電気的に接触する層を備えている金属と、 前記金属層と前記半導体層との間に介在するコンタクト層を備えているカーボン・ナノチューブであって、前記ナノチューブ・コンタクト層が前記金属層を前記半導体層に電気的に結合する、カーボン・ナノチューブと、 を備えている、半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (5件)：
H01L33/00 E ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 C ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
Fターム (11件)：
5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F152LL05 ,  5F152MM10 ,  5F152NN13 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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